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 Geometrical and Structural Design Schemes for Trench-Shaped Vertical Channel Transistors Using Atomic-Layer Deposited In-Ga-Zn-O 原子层沉积In-Ga-Zn-O沟槽型垂直沟道晶体管的几何结构设计方案
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期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Hyun-Min Ahn; Sung-Won Moon; Young-Ha Kwon; Nak‐Jin Seong; Kyu-Jeong Choi; et al 出版日期：2022-11-01 |
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