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 A B2N monolayer: a direct band gap semiconductor with high and highly anisotropic carrier mobility B2N单层：具有高和高各向异性载流子迁移率的直接带隙半导体
相关领域
单层
半导体
带隙
材料科学
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电子迁移率
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光电子学
纳米技术
化学
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计算机图形学（图像）
有机化学
计算机科学
声学
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期刊：Nanoscale 作者：Shu‐Wha Lin; Yu Guo; Meiling Xu; Jijun Zhao; Yiwei Liang; et al 出版日期：2022-01-01 |
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