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 Temperature and total ionizing dose effects of SiC MOSFET and their synergistic characteristics SiC MOSFET的温度和总电离剂量效应及其协同特性
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期刊：Radiation effects and defects in solids 作者：Xiaojuan Pu; Xiaowen Liang; Sheng Yang; Haonan Feng; Qingkui Yu; et al 出版日期：2023-07-04 |
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