Normally-Off AlGaN/GaN HEMTs based on selective area regrowth of a P-GaN gate in nanostructured patterns

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标题	Normally-Off AlGaN/GaN HEMTs based on selective area regrowth of a P-GaN gate in nanostructured patterns 基于纳米结构图案中P-GaN栅极选择性区域再生的常关AlGaN/GaN HEMT 相关领域光电子学材料科学宽禁带半导体氮化镓高电子迁移率晶体管晶体管电气工程纳米技术图层（电子）工程类电压
网址	求助人暂未提供 AI链接 hal.science
DOI	暂未提供，该求助的时间将会延长，查看原因？
其它	期刊：Le Centre pour la Communication Scientifique Directe - HAL - Diderot 作者：Daniel Rouly; Patrick Austin; Josiane Tasselli; Frédéric Morancho; Karine Isoird; et al 出版日期：2022-09-19
求助人	yyru 在 2024-08-21 22:17:51 发布自江苏，悬赏 10 积分
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