Improving breakdown voltage performance of SOI power device with folded drift region

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标题	Improving breakdown voltage performance of SOI power device with folded drift region 用折叠漂移区改善SOI功率器件的击穿电压性能相关领域电场绝缘体上的硅材料科学击穿电压 LDMOS 光电子学电介质电压电离撞击电离介电强度电气工程硅物理离子工程类量子力学
网址	https://doi.org/10.1088/1674-1056/25/7/077201
DOI	10.1088/1674-1056/25/7/077201 doi
其它	期刊：Chinese Physics B 作者：Qi Li; Haiou Li; Ping-Jiang Huang; Gongli Xiao; Ning Yang 出版日期：2016-07-01
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