Performance Optimization of Atomic Layer Deposited HfOx Memristor by Annealing With Back-End-of-Line Compatibility

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标题	Performance Optimization of Atomic Layer Deposited HfOx Memristor by Annealing With Back-End-of-Line Compatibility 后端兼容退火优化原子层沉积HfOx忆阻器的性能相关领域记忆电阻器原子层沉积材料科学神经形态工程学退火（玻璃）生产线后端光电子学 CMOS芯片相容性（地球化学）电导电子工程线性纳米技术计算机科学人工神经网络薄膜人工智能工程类冶金电介质复合材料物理凝聚态物理
网址	https://doi.org/10.1109/led.2022.3177774
DOI	10.1109/led.2022.3177774 doi
其它	期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Hong Chen; Lianzheng Li; Jinbin Wang; Guangchao Zhao; Ying Li; et al 出版日期：2022-07-01
求助人	TTongWu 在 2024-07-24 11:43:57 发布自山东，悬赏 10 积分
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