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Realization of low specific-contact-resistance on N-polar GaN surface using heavily-Ge-doped n-type GaN films deposited by low-temperature reactive sputtering technique
利用低温反应溅射技术在n极GaN表面沉积重Ge掺杂n型GaN薄膜实现低接触电阻率
相关领域
材料科学
溅射
兴奋剂
光电子学
实现(概率)
极地的
接触电阻
复合材料
纳米技术
薄膜
图层(电子)
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物理
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期刊:Applied Physics Express 作者:Shinji Yamada; Masanori Shirai; Hiroki Kobayashi; Manabu Arai; Tetsu Kachi; et al 出版日期:2024-02-08 |
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