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标题
Device Reliability and Effect of Temperature on Memristors: Nanostructured V₂O₅
器件可靠性和温度对忆阻器的影响：纳米结构V₂O₅
相关领域
可靠性（半导体） 材料科学 记忆电阻器 温度测量 可靠性工程 电气工程 光电子学 电子工程 工程物理 工程类 物理 功率（物理） 热力学
网址
https://doi.org/10.1109/tdmr.2024.3392634
DOI
10.1109/tdmr.2024.3392634 doi
其它 期刊：IEEE Transactions on Device and Materials Reliability
作者：B Sharmila; Ashutosh Kumar Dikshit; Priyanka Dwivedi
出版日期：2024-04-23
求助人
ZS 在 2024-12-18 19:18:29 发布自山西，悬赏 10 积分
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