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 Radiation-induced degradation of silicon carbide MOSFETs – A review 碳化硅MOSFETs的辐射降解研究进展
相关领域
材料科学
碳化硅
MOSFET
光电子学
晶体管
辐射
工程物理
辐射损伤
阈值电压
可靠性（半导体）
抗辐射性
电压
电气工程
物理
工程类
功率（物理）
光学
冶金
量子力学
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| 其它 |
期刊：Materials Science And Engineering: B 作者：Tamana Baba; Naseeb Ahmed Siddiqui; Norazlina Bte Saidin; Siti Harwani Md Yusoff; S.F. Abdul Sani; et al 出版日期：2023-12-12 |
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