标题 |
Ni/NiO/HfO2 Core/Multishell Nanowire ReRAM Devices with Excellent Resistive Switching Properties
具有优异电阻开关特性的Ni/NiO/HfO2核/多壳纳米线ReRAM器件
相关领域
电阻随机存取存储器
材料科学
非阻塞I/O
光电子学
纳米线
纳米技术
异质结
电极
生物化学
物理化学
催化作用
化学
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其它 |
期刊:Advanced Electronic Materials 作者:Ting‐Kai Huang; Jui‐Yuan Chen; Yi‐Hsin Ting; Wen‐Wei Wu 出版日期:2018-08-10 |
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