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Improvement of Q rr-I DSS and dynamic avalanche of field-plate MOSFET by local lifetime control on the cathode side
通过阴极侧局部寿命控制改善场板MOSFET的Q rr-I DSS和动态雪崩
相关领域
超调(微波通信)
缓冲器
雪崩击穿
材料科学
光电子学
阴极
MOSFET
载流子
撞击电离
电压
击穿电压
电气工程
电容器
化学
电离
晶体管
工程类
离子
有机化学
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期刊:Japanese Journal of Applied Physics 作者:Yusuke Kobayashi; Tatsuya Nishiwaki; Akihiro Goryu; Tsuyoshi Kachi; Ryohei Gejo; et al 出版日期:2021-12-07 |
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