Thermally hardened AlGaN/GaN MIS-HEMTs based on multilayer dielectrics and silicon nitride passivation

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标题	Thermally hardened AlGaN/GaN MIS-HEMTs based on multilayer dielectrics and silicon nitride passivation 基于多层介质和氮化硅钝化的热硬化AlGaN/GaN MIS-HEMT 相关领域材料科学钝化跨导光电子学高电子迁移率晶体管晶体管氮化物氮化硅电介质宽禁带半导体氮化镓硅电压图层（电子）电气工程纳米技术工程类
网址	https://doi.org/10.1063/5.0134475
DOI	10.1063/5.0134475 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：Hanwool Lee; Hojoon Ryu; Wenjuan Zhu 出版日期：2023-03-13
求助人	xde的玩偶在 2024-09-30 07:49:45 发布自山东，悬赏 10 积分
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