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 Passivation mechanisms of oxygen-vacancy-induced hole traps by Mg acceptor atoms at GaN/SiO2 interface GaN/SiO2界面Mg受体原子对氧空位诱导空穴陷阱的钝化机制
相关领域
钝化
接受者
空位缺陷
材料科学
宽禁带半导体
氧气
化学物理
光电子学
原子物理学
化学
结晶学
纳米技术
凝聚态物理
物理
图层（电子）
有机化学
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| 其它 |
期刊：Applied Physics Letters 作者：Shuto Hattori; Atsushi Oshiyama; Kenji Shiraishi 出版日期：2024-10-14 |
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