Prolonging Charge Carrier lifetime via Intraband Defect Levels in S‐scheme Heterojunctions for Artificial Photosynthesis

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标题	Prolonging Charge Carrier lifetime via Intraband Defect Levels in S‐scheme Heterojunctions for Artificial Photosynthesis 人工光合作用中S方案异质结的带内缺陷能级延长载流子寿命
网址	https://doi.org/10.1002/anie.202414672
DOI	10.1002/anie.202414672 doi
其它	期刊：Angewandte Chemie International Edition 作者：Feiyan Xu; Ying He; Jianjun Zhang; Guijie Liang; Chengyuan Liu; Jiaguo Yu 出版日期：2024
求助人	退役干饭王在 2024-11-15 13:42:35 发布，悬赏 10 积分
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