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Ambipolar Channel p‐TMD/n‐Ga 2 O 3 Junction Field Effect Transistors and High Speed Photo‐sensing in TMD Channel
双极性通道p-TMD/n-Ga 2O 3结场效应晶体管和TMD通道中的高速光传感
相关领域
材料科学
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期刊:Advanced Materials 作者:Wonjun Choi; Jongtae Ahn; Ki-Tae Kim; Hye‐Jin Jin; Sungjae Hong; et al 出版日期:2021-08-02 |
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