Excellent Reliability and High-Speed Antiferroelectric HfZrO2 Tunnel Junction by a High-Pressure Annealing Process and Built-In Bias Engineering

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标题	Excellent Reliability and High-Speed Antiferroelectric HfZrO2 Tunnel Junction by a High-Pressure Annealing Process and Built-In Bias Engineering 通过高压退火工艺和内置偏压工程实现了优异的可靠性和高速反铁电HfZrO2隧道结相关领域材料科学光电子学非易失性存储器铁电性退火（玻璃）电介质量子隧道复合材料
网址	https://doi.org/10.1021/acsami.0c15091
DOI	10.1021/acsami.0c15091 doi
其它	期刊：ACS Applied Materials & Interfaces 作者：Yihan Goh; Junghyeon Hwang; Sanghun Jeon 出版日期：2020-12-12
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