标题 |
![]() 单层4 in的桥接合成和可控掺杂。高电子迁移率长过渡金属二硫族化物单晶
相关领域
材料科学
兴奋剂
光电子学
单层
蓝宝石
成核
纳米技术
半导体
电子迁移率
外延
晶体管
薄脆饼
过渡金属
凝聚态物理
工程物理
光学
电气工程
电压
图层(电子)
工程类
物理
催化作用
有机化学
化学
激光器
生物化学
|
网址 | |
DOI | |
其它 |
期刊:Advanced Materials 作者:Hui Li; Junbo Yang; Xiaohui Li; Quankun Luo; Mo Cheng; et al 出版日期:2023-03-17 |
求助人 | |
下载 | 该求助完结已超 24 小时,文件已从服务器自动删除,无法下载。 |
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|