The past and future of multi-gate field-effect transistors: Process challenges and reliability issues

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标题	The past and future of multi-gate field-effect transistors: Process challenges and reliability issues 多栅场效应晶体管的过去和未来：工艺挑战和可靠性问题相关领域可靠性（半导体）晶体管 CMOS芯片过程（计算）平版印刷术电子工程材料科学计算机科学工程物理电气工程工程类光电子学物理操作系统功率（物理）电压量子力学
网址	https://doi.org/10.1088/1674-4926/42/2/023102
DOI	10.1088/1674-4926/42/2/023102 doi
其它	期刊：Journal of Semiconductors 作者：Ying Sun; Xiao Yu; Rui Zhang; Bing Chen; Ran Cheng 出版日期：2021-02-01
求助人	十一在 2025-02-01 20:54:19 发布自中国台湾，悬赏 10 积分
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