Oxidation anisotropy of 4H-SiC wafers during chemical-mechanical polishing

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标题	Oxidation anisotropy of 4H-SiC wafers during chemical-mechanical polishing 化学机械抛光过程中4H-SiC晶片的氧化各向异性相关领域材料科学抛光薄脆饼各向异性化学机械平面化复合材料冶金纳米技术光学物理
网址	https://doi.org/10.1016/j.mssp.2024.109014
DOI	10.1016/j.mssp.2024.109014 doi
其它	期刊：Materials Science in Semiconductor Processing 作者：Wantang Wang; Xuesong Lu; Xinke Wu; Rong Wang; Deren Yang; et al 出版日期：2024-10-17
求助人	跳舞的池子在 2025-02-02 15:41:17 发布自河北，悬赏 10 积分
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