标题 |
Performance Improvement of Enhanced-Mode β-Ga2O3 MOSFETs by Partial Gate Recess Structure
部分栅极凹槽结构对增强型β-Ga2O3 MOSFET性能的改善
相关领域
材料科学
光电子学
MOSFET
模式(计算机接口)
电气工程
计算机科学
工程类
晶体管
电压
操作系统
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DOI | |
其它 |
期刊:ACS Applied Electronic Materials 作者:Yuan‐Hsien Chuang; Fu‐Gow Tarntair; Pei-Jung Wang; Tian‐Li Wu; Niall Tumilty; et al 出版日期:2024-09-17 |
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