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 High-Efficiency Doping Outcomes in Homoepitaxial β-Ga2O3 Films via Pulsed Si Doping with MOCVD MOCVD脉冲Si掺杂同质外延β-Ga2O3薄膜的高效掺杂结果
相关领域
兴奋剂
金属有机气相外延
材料科学
光电子学
外延
纳米技术
图层（电子）
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期刊：Crystal Growth & Design 作者：Yao Wang; Qian Feng; Wenkai Wu; Caixia Zhang; Yachao Zhang; et al 出版日期：2024-09-13 |
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