Electronic properties of hafnium oxide: A contribution from defects and traps

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标题	Electronic properties of hafnium oxide: A contribution from defects and traps 氧化铪的电子性质：缺陷和陷阱的贡献相关领域铪氧化物氧气硅材料科学化学物理光电子学物理锆冶金量子力学
网址	https://doi.org/10.1016/j.physrep.2015.11.002
DOI	10.1016/j.physrep.2015.11.002 doi
其它	期刊：Physics Reports 作者：V. A. Gritsenko; Timofey V. Perevalov; Damir R. Islamov 出版日期：2015-12-04
求助人	沈家宁在 2025-01-09 11:02:37 发布自福建，悬赏 10 积分
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