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Reliable Memristor Crossbar Array Based on 2D Layered Nickel Phosphorus Trisulfide for Energy‐Efficient Neuromorphic Hardware
用于节能神经形态硬件的基于二维层状三硫化镍磷的可靠忆阻器交叉阵列
相关领域
神经形态工程学
记忆电阻器
横杆开关
材料科学
非易失性存储器
光电子学
电阻随机存取存储器
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期刊:Small 作者:Zhengjin Weng; Haofei Zheng; Lingqi Li; Lei Wei; Haipeng Jiang; et al 出版日期:2023-09-26 |
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