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 Charge Transfer at the Hetero-Interface of WSe2/InSe Induces Efficient Doping to Achieve Multi-Functional Lateral Homo-Junctions WSe2/InSe异质界面的电荷转移诱导有效掺杂以实现多功能横向同质结
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期刊：Advanced electronic materials 作者：Bo Xu; Li Yang; Zhao-Yuan Sun; Ze Zhao; Li Yang; et al 出版日期：2021-10-15 |
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