Fabrication of GeSn Nanowire MOSFETs by Utilizing Highly Selective Etching Techniques

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标题	Fabrication of GeSn Nanowire MOSFETs by Utilizing Highly Selective Etching Techniques 利用高选择性刻蚀技术制备GeSn纳米线MOSFETs 相关领域材料科学蚀刻（微加工）薄脆饼图层（电子）制作光电子学纳米线缓冲器（光纤）锗外延纳米技术硅医学电信替代医学病理计算机科学
网址	https://doi.org/10.1109/ted.2023.3246952
DOI	10.1109/ted.2023.3246952 doi
其它	期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Tzu-Chieh Hong; Wen-Hsiang Lu; Yeong-Her Wang; Jiun-Yun Li; Yao-Jen Lee; et al 出版日期：2023-04-01
求助人	dagongren 在 2023-11-19 17:25:26 发布自上海，悬赏 10 积分
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