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 Demonstration of a lateral p-NiO/n-GaN JFET fabricated by selective-area regrowth 选择性区域再生制备横向p-NiO/n-GaN JFET的演示
相关领域
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期刊：Semiconductor Science and Technology 作者：光男 高橋; Jing Yu; Lin Hao; Ailin Miao; Liang Xu; et al 出版日期：2024-08-01 |
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