A 2.1-ns Dead Time 5-μm Single Photon Avalanche Diode with 2-Layer Transistor Pixel Technology

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标题	A 2.1-ns Dead Time 5-μm Single Photon Avalanche Diode with 2-Layer Transistor Pixel Technology 采用2层晶体管像素技术的2.1 ns死区时间5 μ m单光子雪崩二极管相关领域单光子雪崩二极管晶体管雪崩二极管光电子学死时间二极管像素图层（电子）材料科学光学物理电气工程雪崩光电二极管探测器电压工程类击穿电压纳米技术量子力学
网址	http://xplorestaging.ieee.org/ielx8/10872985/10872987/108734...
DOI	10.1109/iedm50854.2024.10873462 doi
其它	期刊：2024 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) 作者：J. Ogi; S. Kitamura; F. Sugaya; J. Suzuki; A. Magori; et al 出版日期：2025-02-19
求助人	hellogo 在 2025-03-09 00:12:57 发布自陕西，悬赏 10 积分
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