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标题
The unified model for Schottky barrier formation and MOS interface states in 3–5 compounds
3-5化合物肖特基势垒形成与MOS界面态的统一模型
相关领域
肖特基势垒 半导体 肖特基二极管 氧化物 激发态 接受者 电子结构 化学 Atom(片上系统) 材料科学 光电子学 原子物理学 凝聚态物理 二极管 计算化学 物理 有机化学 嵌入式系统 计算机科学
网址
DOI
10.1016/0378-5963(81)90027-1 doi
其它 期刊:Applications of Surface Science
作者:W. E. Spicer; I. Lindau; Perry Skeath; Chi Su
出版日期:1981-09-01
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奔流的河 在 2025-03-10 12:53:18 发布自中国,悬赏 10 积分
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