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 Characterization of LT GaAs carrier lifetime in multilayer GaAs epitaxial wafers by the transient reflectivity technique 用瞬态反射率技术表征多层GaAs外延片中LT GaAs载流子寿命
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期刊：IEEE Transactions on Nuclear Science 作者：Dale McMorrow; Joseph S. Melinger; A.R. Knudson; Steve Buchner; K. Ikossi‐Anastasiou; et al 出版日期：1997-12-01 |
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