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标题
Bismuth-doped Ga2O3 as candidate for p-type transparent conducting material
铋掺杂Ga2O3作为p型透明导电材料的候选材料
相关领域
材料科学 带隙 兴奋剂 半导体 半金属 光电子学 混合功能 铋 功勋 价带 氮族元素 电子能带结构 宽禁带半导体 价（化学） 直接和间接带隙 原子轨道 凝聚态物理 密度泛函理论 化学 计算化学 物理 超导电性 电子 有机化学 量子力学 冶金
网址
https://arxiv.org/abs/1906.00840
AI链接 arxiv.org datacite.orgdoi.org
DOI
10.48550/arxiv.1906.00840 doi
其它 期刊：arXiv (Cornell University)
作者：Fernando P. Sabino; Xuefen Cai; Su‐Huai Wei; Anderson Janotti
出版日期：2019-01-01
求助人
咿呀 在 2025-04-24 16:16:09 发布自北京，悬赏 10 积分
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