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 Significant improvement of n-contact performance and wall plug efficiency of AlGaN-based deep ultraviolet light-emitting diodes by atomic layer etching 原子层刻蚀显著提高AlGaN基深紫外发光二极管的n接触性能和壁塞效率
相关领域
蚀刻（微加工）
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物理
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期刊：Optics Letters 作者：Zhiyuan Liu; Tingang Liu; Haicheng Cao; Zixian Jiang; Na Xiao; et al 出版日期：2024-07-05 |
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