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 High-k and high-temperature-resistant polysilsesquioxane: Potential for solution-processed metal oxide semiconductor transistors operating at low voltage 高k和耐高温聚倍半硅氧烷：在低电压下工作的溶液处理金属氧化物半导体晶体管的潜力
相关领域
材料科学
电介质
氧化物
铟
半导体
光电子学
晶体管
薄膜晶体管
场效应晶体管
高-κ电介质
纳米技术
电压
冶金
电气工程
图层（电子）
工程类
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| 其它 |
期刊：Materials Today Communications 作者：G. Choe; Jiyeong Kim; Su Cheol Shin; Yu Rim Jeong; Se Jin Kim; et al 出版日期：2023-01-05 |
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