标题 |
A new growth method of roughed p-GaN in GaN-based light emitting diodes
一种新的生长方法在GaN基发光二极管中粗化p-Gap
相关领域
材料科学
光通量
光电子学
发光二极管
二极管
氮化镓
外延
发光效率
图层(电子)
Crystal(编程语言)
增长率
宽禁带半导体
表面粗糙度
通量法
光学
单晶
纳米技术
复合材料
结晶学
光源
化学
物理
几何学
数学
计算机科学
程序设计语言
|
网址 | |
DOI | |
其它 |
期刊:Acta Physica Sinica 作者:李水清 Li Shuiqing; Lai Wang; Yanjun Han; Yi Luo; Deng He-Qing; et al 出版日期:2011-01-01 |
求助人 | |
下载 | 该求助完结已超 24 小时,文件已从服务器自动删除,无法下载。 |
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|