The Optimizing Effect of Nitrogen Flow Ratio on the Homoepitaxial Growth of 4H-SiC Layers

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标题	The Optimizing Effect of Nitrogen Flow Ratio on the Homoepitaxial Growth of 4H-SiC Layers 氮气流量比对4H-SiC层同质外延生长的优化作用相关领域材料科学体积流量外延兴奋剂表面粗糙度增长率基质（水族馆）表面光洁度纵横比（航空）图层（电子）流量（数学）复合材料分析化学（期刊）光电子学化学几何学机械海洋学物理数学色谱法地质学
网址	http://dx.doi.org/10.3390/cryst13060935
DOI	10.3390/cryst13060935 doi
求助人	坚定的老头在 2024-09-27 08:50:56 发布自浙江，悬赏 10 积分
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