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 Effects of hydrogen and SiO2 buffer layer insertion on electrical properties of low-resistive indium tin oxide films formed on polyethylene naphthalate films 氢和SiO2缓冲层插入对聚萘二甲酸乙二醇酯薄膜上形成的低电阻氧化铟锡薄膜电学性能的影响
相关领域
材料科学
聚萘二甲酸乙二醇酯
电阻率和电导率
氧化铟锡
图层（电子）
铟
基质（水族馆）
溅射
溅射沉积
光电子学
薄膜
氢
锡
电阻式触摸屏
复合材料
纳米技术
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化学
电气工程
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地质学
海洋学
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期刊：Japanese Journal of Applied Physics 作者：Tsuneo FUKUDA; Yuya Kamada; Takuya Maeda; Takayoshi Shingu 出版日期：2022-09-12 |
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