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标题
A CMOS-integrated compute-in-memory macro based on resistive random-access memory for AI edge devices
面向AI边缘设备的基于电阻式随机存取存储器的CMOS集成内存计算宏
相关领域
宏 电阻随机存取存储器 CMOS芯片 计算机科学 GSM演进的增强数据速率 电阻式触摸屏 随机存取 内存刷新 非易失性随机存取存储器 计算机存储器 半导体存储器 静态随机存取存储器 磁阻随机存取存储器 计算机体系结构 随机存取存储器 计算机硬件 电子工程 电气工程 工程类 电压 操作系统 人工智能 程序设计语言
网址
https://doi.org/10.1038/s41928-020-00505-5
DOI
10.1038/s41928-020-00505-5 doi
其它 期刊：Nature electronics
作者：Cheng-Xin Xue; Yen-Cheng Chiu; Ta-Wei Liu; Tsung-Yuan Huang; Je-Syu Liu; et al
出版日期：2021-01-01
求助人
唐太君 在 2024-12-02 09:29:53 发布自吉林，悬赏 10 积分
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