HfAlO-based ferroelectric memristors for artificial synaptic plasticity

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标题	HfAlO-based ferroelectric memristors for artificial synaptic plasticity 用于人工突触可塑性的HfAlO基铁电忆阻器相关领域记忆电阻器铁电性材料科学电阻随机存取存储器光电子学纳米技术电子工程电气工程电压工程类电介质
网址	https://doi.org/10.1007/s11467-023-1310-6
DOI	10.1007/s11467-023-1310-6 doi
其它	期刊：Frontiers of Physics in China 作者：Jie Yang; Zixuan Jian; Zhongrong Wang; Jianhui Zhao; Zhenyu Zhou; et al 出版日期：2023-09-20
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