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 Assessment of Electron Mobility in Ultrathin-Body InGaAs-on-Insulator MOSFETs Using Physics-Based Modeling 使用基于物理的模型评估超薄体InGaAs绝缘体上MOSFET中的电子迁移率
相关领域
电子
散射
有效质量（弹簧-质量系统）
绝缘体上的硅
电子迁移率
表面粗糙度
绝缘体（电）
MOSFET
材料科学
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硅
凝聚态物理
库仑
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量子
物理
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光学
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复合材料
电压
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期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Mirko Poljak; Vladimir Jovanović; D. Grgec; Tomislav Suligoj 出版日期：2012-04-04 |
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