标题 |
Copper Diffusion Behavior in SiO2/Si Structure During 400°C Annealing
400℃退火过程中铜在SiO2/Si结构中的扩散行为
相关领域
铜
退火(玻璃)
薄脆饼
硅
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扩散
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物理化学
吸附
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物理
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期刊:Japanese Journal of Applied Physics 作者:Kazuyuki Hozawa; J. Yugami 出版日期:2004-01-13 |
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