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InGaZnO Synaptic Transistor Using Metal-Hydroxyl Traps at Back Channel for Weight Modulation
用于重量调制的背沟道金属羟基陷阱InGaZnO突触晶体管
相关领域
神经形态工程学
晶体管
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期刊:IEEE Transactions on Electron Devices 作者:C. Zhang; Baofeng Yang; Dong Wang; Zhihao Zhou; Chuanyu Han; et al 出版日期:2023-09-01 |
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