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 Improvement of device characteristics of plasma-treated indium gallium zinc oxide thin-film transistors through thermal annealing 热退火改善等离子体处理的铟镓锌氧化物薄膜晶体管的器件特性
相关领域
薄膜晶体管
材料科学
电子迁移率
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铟
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物理
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期刊：Semiconductor Science and Technology 作者：Weisheng Liu; Chih‐Hao Hsu; Yu Jiang; Yi-Chun Lai; Hsing‐Chun Kuo 出版日期：2021-02-26 |
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