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 Straddling Tunneling FETs and Broadband Photodetectors Based on HfS2/SnS2 van der Waals Heterostructure 基于HfS2/SnS2范德华异质结构的跨隧穿场效应晶体管和宽带光电探测器
相关领域
异质结
材料科学
光电探测器
光电子学
量子隧道
半导体
光电导性
光电效应
偏压
紫外线
电介质
晶体管
范德瓦尔斯力
响应度
隧道效应
共发射极
光敏性
比探测率
场效应晶体管
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| 其它 |
期刊：ACS Applied Materials & Interfaces 作者：Xiangna Cong; Muhammad Najeeb Ullah Shah; Yuxiang Huang; Chengcai Wang; Wenlong He 出版日期：2025-09-11 |
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