Improvement of mask pattern placement error using novel resist charging control methodology in multi-beam mask writer

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标题	Improvement of mask pattern placement error using novel resist charging control methodology in multi-beam mask writer 利用新型抗蚀剂充电控制方法改善多光束掩模写入器中掩模图案放置误差
网址	https://doi.org/10.1117/12.3032199
DOI	10.1117/12.3032199 doi
其它	期刊：Photomask Japan 2024: XXX Symposium on Photomask and Next-Generation Lithography Mask Technology 作者：Hyoyeon Kim; Hyungrae Noh; Wonsik Shin; Kangho Park; Youngjae Lee; et al 出版日期：2024
求助人	Tianling 在 2024-08-28 17:28:48 发布自北京，悬赏 20 积分
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