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 Modifying a D–A–π–A–D HTM system for higher hole mobility by the meta-substitution strategy to weaken the electron-donating ability of the donor unit: a DFT study 通过元取代策略修改D-A-π-A-D HTM系统以获得更高的空穴迁移率以削弱供体单元的给电子能力：DFT研究
相关领域
替代（逻辑）
单位（环理论）
电子
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期刊：Nanoscale 作者：K.L. Wang; Qungui Wang; Cui-E Hu; Yan Cheng; Guang‐Fu Ji; et al 出版日期：2023-01-01 |
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