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The mechanism of radiation-enhanced diffusion of oxygen in silicon at room temperature
室温下氧在硅中的辐射增强扩散机制
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期刊:Journal of Physics C Solid State Physics 作者:A. S. Oates; M. J. Binns; R. C. Newman; Rachel Tucker; J. G. Wilkes; et al 出版日期:1984-11-20 |
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