An electronic synaptic device based on HfO2TiOx bilayer structure memristor with self-compliance and deep-RESET characteristics

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标题	An electronic synaptic device based on HfO2TiOx bilayer structure memristor with self-compliance and deep-RESET characteristics 基于HfO_2TiOx双层结构忆阻器的自柔度深复位电子突触器件相关领域记忆电阻器材料科学神经形态工程学突触重量重置（财务）长时程增强电导光电子学脉冲波记忆晶体管脉搏（音乐）双稳态双层超短脉冲切换时间电阻随机存取存储器电压电气工程计算机科学人工神经网络物理凝聚态物理光学电信人工智能化学生物化学经济抖动受体工程类膜金融经济学激光器
网址	https://doi.org/10.1088/1361-6528/aad64d
DOI	10.1088/1361-6528/aad64d doi
其它	期刊：Nanotechnology 作者：Jian Liu; Huafeng Yang; Yang Ji; Zhongyuan Ma; Kunji Chen; et al 出版日期：2018-08-10
求助人	刘师在 2024-03-29 09:58:24 发布自山东，悬赏 10 积分
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