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Impact of an InxGa1–xAs Capping Layer in Impeding Indium Desorption from Vertically Coupled InAs/GaAs Quantum Dot Interfaces
InxGa1-xAs覆盖层对垂直耦合InAs/GaAs量子点界面铟解吸的影响
相关领域
铟
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期刊:ACS Applied Nano Materials 作者:Binita Tongbram; Saumya Sengupta; Subhananda Chakrabarti 出版日期:2018-07-17 |
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