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Ag-doped non–imperfection-enabled uniform memristive neuromorphic device based on van der Waals indium phosphorus sulfide
基于范德华铟磷硫化物的掺银无缺陷均匀忆阻神经形态器件
相关领域
记忆电阻器
铟
瓶颈
可扩展性
神经形态工程学
材料科学
冯·诺依曼建筑
范德瓦尔斯力
计算机科学
光电子学
兴奋剂
硫化物
纳米技术
物理
电气工程
人工神经网络
人工智能
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量子力学
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期刊:Science advances 作者:Yesheng Li; Yuli Xiong; Baoxing Zhai; Lei Yin; Yiling Yu; et al 出版日期:2024-03-15 |
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