Preparation of High-Performance IATO Films and Thin-Film Transistors with Investigation on Oxygen Partial Pressure Effects and Application of ALD Al2O3 Gate Insulator

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标题	Preparation of High-Performance IATO Films and Thin-Film Transistors with Investigation on Oxygen Partial Pressure Effects and Application of ALD Al2O3 Gate Insulator 高性能IATO薄膜和薄膜晶体管的氧分压效应研究及ALD Al2O3栅绝缘体的应用相关领域材料科学薄膜晶体管分压绝缘体（电）氧气晶体管光电子学薄膜氧气压力分析化学（期刊）电气工程纳米技术化学工程类图层（电子）电压有机化学色谱法
网址	http://dx.doi.org/10.1021/acsaelm.4c02226
DOI	10.1021/acsaelm.4c02226 doi
求助人	浮生在 2025-03-13 09:27:35 发布自河南，悬赏 15 积分
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