| 标题 |
 Enhanced stability and mobility of solution-processed oxide thin-film transistors with bilayer terbium-incorporated indium oxide channel 具有双层掺铒氧化铟沟道的溶液处理氧化物薄膜晶体管的稳定性和迁移率增强
相关领域
材料科学
薄膜晶体管
双层
光电子学
氧化物
铟
电子迁移率
晶体管
薄膜
铽
阈值电压
有源矩阵
纳米技术
图层（电子）
电压
化学
膜
电气工程
冶金
发光
工程类
生物化学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Applied Physics Letters 作者：Penghui He; Chunchun Ding; Xuming Zou; Guoli Li; Wei Hu; et al 出版日期：2022-11-08 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
VDC
杳鸢
pluto
sutharsons
迟大猫
一夜很静
郑州
pcr163
cnspower
jyy
捉迷藏
阿莫西林皮蛋
机灵柚子
高数数
yyds
小林太郎
Xiaoxiao
柚子皮
Zn
小七
皖公网安备34019202002308
